ASDM20P09ZB-R دیتاشیت

ASDM20P09ZB-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM20P09ZB-R
حجم فایل 60.508 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM20P09ZB-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM20P09ZB-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.8W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.2nF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 90pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@4.5V,4A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه